但即便如此，在涉及集成电路高端制造领域，中国与西方国家依旧有着不小的差距。
别的不说，单单阿斯麦公司的极紫外光刻机（euv），汇聚了所有西方国家最顶尖的制造技术，堪称人类有史以来最精密的工业品。
与航空发动机一起，成为工业制造皇冠上的一颗明珠。
在硅基集成电路时代，西方国家有着巨大的先发优势，中国很难在这一领域与西方国家展开竞争。
这一点，就连庞学林也没什么办法。
让他在理论上有所突破可以，让他快速提升国内工业制造水平，庞学林同样一筹莫展。
硅基芯片制程上的差距，让中国很难在短时间内追上西方发达国家。
但硅基领域没办法弯道超车，并不意味着没有另辟蹊径的办法。
碳纳米管被科学家们给予了厚望。
这与其本身的特性息息相关。
首先，碳纳米管芯片身量虽小，但节能增效能力却更强。
碳纳米管是由单层碳原子卷成管状的碳材料，导电性能极好，而且，碳元素在地球上的储量十分丰富。
碳纳米管的直径可以根据工艺的不同制成几纳米到几十纳米长；管壁厚度更小，根据壁层碳原子数量不同，碳纳米管可以分为单壁碳纳米管和多壁碳纳米管；在同样集成度的情况下，碳纳米管芯片比硅元器件体积更小。
同时，碳纳米管的韧性极高，可以承受弯曲、拉伸等应力，电信号传输过程的延迟很短，所以，从材料物理属性上看，碳纳米管具有替代硅芯片的潜力。
其次，碳
第五百零二章 碳基芯片(2/5)