空栅加以正电压，使电子进入第一级浮空栅。
读出方法与eprom相同。擦除方法是在源极加正电压利用第一级浮空栅与源极之间的隧道效应，把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。
由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，快擦存储器不能按字节擦除，而是全片或分块擦除。
相比于第一种nor闪存。
第二种闪存称为nand闪存。
它由日立公司于1989年研制，并被认为是nor闪存的理想替代者。
nand闪存的写周期比nor闪存短90%，它的保存与删除处理的速度也相对较快。
nand的存储单元只有nor的一半，在更小的存储空间中nand获得了更好的性能。
nor型与nand型闪存的区别很大。
打个比方说，nor型闪存更像是内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小。
而nand型更像硬盘，地址线和数据线是共用的i/o线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且nand型与nor型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。
因此，nor型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用nor型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；nand型闪存主要用来存储资料，如闪存盘、数码存储卡都是用nand型闪存。
夏培肃皱眉道：“庞总，我印象中，闪存的市场现在并不大吧，应用范围也很窄，而且技术主
第四百七十四章 存储芯片(3/8)